聯和資本完成對安建半導體的投資

作者： 聯和資本 2022-03-31

甯波安建半導體有限公司（下(xià)稱“安建半導體”）已于近日獲超億元B輪融資，本輪融資由超越摩爾投資領投，弘鼎資本、聯和資本、龍鼎投資、君盛投資和金建誠投資跟投。募集資金将主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列産品開發、第三代半導體SiC器件開發和IGBT模塊封測廠建設。

安建半導體對标的正是全球前八名的功率半導體企業，其專注于半導體功率器件的研發、設計和銷售，是賦能高端芯片國産化的企業之一(yī)。功率半導體是電力設備的核心器件，其主要作用是爲電力系統提供變頻、變壓、變流、電機推動和功率管理等功能。因此，所有的電力設備都需要用到半導體功率器件。目前，MOS管和IGBT是應用最廣泛的功率器件，占比90%以上。這兩者也是安建半導體的主要業務。

其中(zhōng)，MOS管是基礎功率器件的一(yī)種升級形式。最早的功率器件是三極管，原理是當基極與發射極爲正時導通，反之截止¹；MOS管是人們在三極管基礎上的進一(yī)步發明，其特殊的結構能夠實現高開關頻率，但擊穿電壓²高會增加阻抗，造成較大(dà)的損耗；IGBT則更進一(yī)步的中(zhōng)和了MOS管和雙極管的性能特性，其可使用的功率範圍更寬，可以在MOS管不适用的大(dà)電壓和大(dà)電流場景中(zhōng)使用，但在頻率上略有犧牲。

資料來源：方正證券研究所

安建半導體創始人單建安表示，這樣的選擇是因爲安建半導體成立之初資金并不充裕，這款産品向市場展示了安建半導體的技術實力。彼時和安建半導體合作的晶圓廠盡管還未達到世界最頂尖的水平，但安建半導體憑借制造端較低的技術節點，産品性能就能夠媲美國外(wài)知(zhī)名芯片大(dà)廠。

産品推出以後，很多大(dà)型企業選擇将安建半導體作爲合作夥伴，産品力也爲安建半導體後續融資打下(xià)了基礎。

我(wǒ)司投資總監葉振彪表示，功率器件是電力電子設備的心髒，單建安教授組建的安建團隊是國内少數從先進功率芯片進行正向研發，從而涉足功率器件以及功率模組業務的優秀公司。

目前安建半導體的産品線已經涵蓋大(dà)部分(fēn)MOS管和IGBT産品，其中(zhōng)已有三條産品線實現量産，分(fēn)别是低電壓的SGT-MOS管（屏蔽栅金屬氧化物(wù)場效應晶體管）、高電壓的SJ-MOS管（超結金屬氧化物(wù)場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（場截止溝槽型絕緣栅雙極晶體管），産品均具有高性能高可靠性。

安建半導體供圖

未來，安建半導體還将針對不同應用場景還将繼續開發不同性能和不同規格的産品，實現功率器件所有電壓和電流全覆蓋，完成做全系列高低壓MOS管和IGBT産品的目标。